import numpy as np
import math
import argparse
import matplotlib.pyplot as plt
"""
pnjunction.py
PN接合ダイオードの電流-電圧 (IV) 特性を計算し、プロットするスクリプト。
このスクリプトは、ユーザーが指定した半導体材料のパラメータと環境条件（温度）に基づき、
PN接合ダイオードの重要な電気的特性である逆方向飽和電流 (Js) と内部電位 (Vbi) を計算します。
その後、指定された印加電圧範囲におけるダイオードの電流-電圧 (IV) 特性を、
ニュートン法を用いた数値計算によりシミュレーションします。
計算されたIV特性はmatplotlibライブラリを使用してグラフとして視覚的に表示され、
主要な計算結果はコンソールに出力されます。
関連リンク:
:doc:`pnjunction_usage`
"""
# 物理定数
KB = 1.380649e-23
QE = 1.60217663e-19
[ドキュメント]
def calculate_material_params(args):
"""
PN接合ダイオードの材料パラメータ（逆方向飽和電流、内部電位）を計算します。
半導体の特性（キャリア有効質量、ドーピング濃度、移動度、寿命など）と温度に基づき、
伝導帯・価電子帯有効状態密度、フェルミ準位、内部電位 (Vbi)、キャリア拡散係数、拡散長を計算し、
最終的にダイオードの逆方向飽和電流 Js を決定します。
:param args: コマンドライン引数を格納したargparse.Namespaceオブジェクト。
以下の属性を持つことが期待されます。
:param args.temp: float 温度 (K)
:param args.men: float 電子の有効質量比 (無次元)
:param args.mhp: float 正孔の有効質量比 (無次元)
:param args.ecn: float N側伝導帯端エネルギー (eV)
:param args.ndn: float N側ドーピング濃度 (/cm^3)
:param args.evp: float P側価電子帯端エネルギー (eV)
:param args.nap: float P側ドーピング濃度 (/cm^3)
:param args.mun: float 電子移動度 (cm^2/Vs)
:param args.taun: float 電子寿命 (s)
:param args.mup: float 正孔移動度 (cm^2/Vs)
:param args.taup: float 正孔寿命 (s)
:returns:
:returns js: float 逆方向飽和電流 (A/cm^2)
:returns v_bi: float 内部電位 (V)
"""
T = args.temp
nc = 2.51e19 * (args.men**1.5) * ((T/300)**1.5)
nv = 2.51e19 * (args.mhp**1.5) * ((T/300)**1.5)
efn = args.ecn - (KB * T / QE) * math.log(args.ndn / nc)
efp = args.evp + (KB * T / QE) * math.log(args.nap / nv)
v_bi = efp - efn
dn = args.mun * (KB * T / QE)
dp = args.mup * (KB * T / QE)
ln, lp = math.sqrt(dn * args.taun), math.sqrt(dp * args.taup)
term_exp = math.exp(-QE * v_bi / (KB * T))
js = QE * (dn / (ln)) * args.ndn * term_exp + QE * (dp / (lp)) * args.nap * term_exp
return js, v_bi
[ドキュメント]
def calculate_diode_current(v_target, temp, js, n_diode, rs, area, v_initial):
"""
指定された印加電圧におけるPN接合ダイオードの電流をニュートン法を用いて計算します。
理想ダイオードモデルに直列抵抗 (Rs) を加味した方程式 (V_total = V_diode + I_diode * R_s) を
ニュートン法を用いて数値的に解きます。これにより、目標の印加電圧 V_target における
ダイオードにかかる電圧 V_diode と、それに対応する電流 I_diode を高精度で求めます。
ニュートン法の初期値として前回の計算結果を使用することで、収束性を向上させています。
:param v_target: float 目標とする印加電圧 (V)。
:param temp: float 温度 (K)。
:param js: float 逆方向飽和電流 (A/cm^2)。
:param n_diode: float ダイオード理想係数 (無次元)。
:param rs: float 直列抵抗 (ohm)。
:param area: float ダイオードの面積 (cm^2)。
:param v_initial: float ニュートン法の初期値として使用するダイオード電圧 (V)。
通常は前回の計算結果や予測値が用いられます。
:returns:
:returns v_diode: float ダイオードにかかる最終的な電圧 (V)。
:returns current: float ダイオードに流れる最終的な電流 (A)。
"""
if v_target == 0: return 0.0, 0.0
v_diode = v_initial
dv, eps, max_iter = 1e-4, 1e-7, 100
vt = (n_diode * KB * temp) / QE
for _ in range(max_iter):
get_i = lambda vd: js * (math.exp(vd / vt) - 1.0) * area
im, ip = get_i(v_diode - dv), get_i(v_diode + dv)
v_total = 0.5 * ((v_diode - dv + im * rs) + (v_diode + dv + ip * rs))
if abs(v_total - v_target) < eps:
return v_diode, 0.5 * (im + ip)
dv_dv = ((v_diode + dv + ip * rs) - (v_diode - dv + im * rs)) / (2.0 * dv)
v_diode += (v_target - v_total) / dv_dv
return v_diode, js * (math.exp(v_diode / vt) - 1.0) * area
[ドキュメント]
def main():
"""
PN接合ダイオードのIV特性シミュレーションのメイン処理を実行します。
コマンドライン引数から半導体材料のパラメータ、シミュレーションの電圧範囲、
プロットの表示オプションなどを受け取ります。
`calculate_material_params` 関数でダイオードの基本パラメータ (Js, Vbi) を計算し、
その後、`calculate_diode_current` 関数を繰り返し呼び出して、
指定された電圧範囲におけるダイオード電流を計算します。
計算された電流-電圧特性はmatplotlibでプロットされ、コンソールに主要な計算結果が出力されます。
:returns: なし
:rtype: None
"""
parser = argparse.ArgumentParser(description='PN Junction IV Characteristics Simulator')
parser.add_argument('--temp', type=float, default=300.0, help='Temperature [K]')
parser.add_argument('--area', type=float, default=0.01, help='Diode Area [cm^2]')
parser.add_argument('--rs', type=float, default=10.0, help='Series Resistance [ohm]')
parser.add_argument('--ndn', type=float, default=1.0e16, help='N-side doping concentration [/cm^3]')
parser.add_argument('--ecn', type=float, default=4.05, help='N-side conduction band edge energy [eV]')
parser.add_argument('--men', type=float, default=0.19, help='Effective mass ratio of electron (N-side)')
parser.add_argument('--mun', type=float, default=1500.0, help='Electron mobility (N-side) [cm^2/Vs]')
parser.add_argument('--taun', type=float, default=1e-5, help='Electron lifetime (N-side) [s]')
parser.add_argument('--nap', type=float, default=1.0e16, help='P-side doping concentration [/cm^3]')
parser.add_argument('--evp', type=float, default=5.17, help='P-side valence band edge energy [eV]')
parser.add_argument('--mhp', type=float, default=0.16, help='Effective mass ratio of hole (P-side)')
parser.add_argument('--mup', type=float, default=500.0, help='Hole mobility (P-side) [cm^2/Vs]')
parser.add_argument('--taup', type=float, default=1e-5, help='Hole lifetime (P-side) [s]')
parser.add_argument('--v0', type=float, default=-1.0, help='Start voltage for simulation [V]')
parser.add_argument('--v1', type=float, default=1.0, help='End voltage for simulation [V]')
parser.add_argument('--step', type=float, default=0.02, help='Voltage step for simulation [V]')
parser.add_argument('--noplot', action='store_true', help='Disable plot display')
args = parser.parse_args()
js, v_bi = calculate_material_params(args)
v_apps = np.arange(args.v0, args.v1 + args.step, args.step)
currents = []
v_prev = args.v0 * 0.2
for v_app in v_apps:
_, i = calculate_diode_current(v_app, args.temp, js, 1.0, args.rs, args.area, v_prev)
currents.append(i)
v_prev = _
abs_currents = np.abs(currents)
# グラフ描画
if not args.noplot:
plt.figure(figsize=(8, 6))
plt.semilogy(v_apps, abs_currents, 'b-', label=f'Rs = {args.rs} ohm')
plt.title("PN Junction IV Characteristics")
plt.xlabel("Applied Voltage (V)")
plt.ylabel("|Current| (A)")
plt.grid(True, which="both", ls="-", alpha=0.5)
plt.legend()
# 0Vの線を表示
plt.axvline(0, color='black', lw=1)
print(f"Calculated Vbi: {v_bi:.4f} V")
print(f"Calculated Js : {js:.6e} A/cm2")
plt.show()
if __name__ == "__main__":
main()