第8回　「薄膜トランジスタの原理と評価 (FETの理論)」
     Google NotebookLMで生成した音声解説:

録画収録・公開日: 2025/6/6
神谷・片瀬研講義日: 2025/6/5
講師:  神谷利夫 (東京科学大学 総合研究院 元素戦略MDX研究センター)
公開対象者: 制限なし
講義資料: TFT-FET_theroy.pptx
資料: distribution-tft.zip

　NチャネルSi MOSFETを例に、電界効果型トランジスタの理論について説明します。
特に、TFTの簡単な近似では扱わなかった、subthreshold領域、飽和領域について
より詳しく説明します。
また、TFTとFETのモデルの違いを説明します。