講義内容

14:30～16:00 電気評価技術：「半導体の物性値の計算、温度特性の計算 + AI利用によるプログラムの作成技術紹介」 
神谷 利夫 （東京科学大学）

内容:

1. 生成Ai の注意
2. 生成AIを使ったプログラム作成の実演
   ・ van der Pauw法の形状補正因子の計算プログラム
3. キャリア濃度の温度依存性の計算プログラム
   ・　半導体統計・電子構造の基礎
    　自由電子近似で、EFを与えて電子密度を計算
   　 Fermi-Dirac分布関数、Fermi-Dirac積分の実装に関する注意
   ・ イオン化ドナー・アクセプター濃度 ・電荷中性条件からEFを計算（二分法） 
   ・ 温度を変えてループを回して、EF, ne, nh, ND+, NA-, RHall, Hall因子, L, Sの温度変化を計算、プロット
   ・ ドナー・アクセプターのFermi-Dirac関数に関する注意 
4. 散乱モデルによる移動度の温度依存性 
   　粒内散乱モデル
   　粒界散乱モデル (Setoモデル)
5. 最小二乗フィッティング
   ・ 粒内移動度のフィッティング
   　線形最適化
   ・ 多結晶半導体のSetoモデルへのフィッティング
   　非線形最適化
   ・ キャリア密度の温度依存性のフィッティング
   　非線形最適化
   ・ フィッティングパラメータ、データの推定誤差
6. 散乱因子依存の半導体物性の計算 (Hall因子、Seebeck係数)