Translation result of translate_test.pptx


保存したファイルを開く際、セキュリティの問題から開けない場合があります。
Windowsの場合、ファイルのプロパティダイアログを表示し、下部にセキュリティの警告が出ている場合、
「許可する」にチェックを入れてから開いてください
Document
Original
Translated
Corrected
高温におけるキャリア密度と移動度の不安定性 Instability of Carrier Density and Mobility at High Temperatures
Boltzmann型温度依存性を仮定 Assuming Boltzmann-type Temperature Dependence
1st cycle  58cm2/Vs 1st cycle  58cm2/Vs
本研究の目的 Purpose of the Study
信頼できるHall効果測定方法 Reliable Hall Effect Measurement Methods
温度依存性の解析 Temperature Dependency Analysis
a-IGZO (In:Ga:Zn = 1:1:1)の最大移動度は? What is the maximum mobility of a-IGZO (In:Ga:Zn = 1:1:1)?
最終目的 Ultimate Goal
高温Hall効果測定 High Temperature Hall Effect Measurement
単一ドナー準位モデル パーコレーションモデル Single Donor Level Model Percolation Model
繰り返し測定、熱履歴による不安定性     →原因 Repeated measurements, instability due to thermal history → Cause
実験 Ⅰ Experiment I
a-IGZO 成膜条件 -RFマグネトロンスパッタリング- a-IGZO Film Formation Conditions - RF Magnetron Sputtering -
RF 出力 : 70 W RF Output: 70 W
Ar/O2 比 : 19.4 : 0.6 sccm Ar/O2 ratio: 19.4:0.6 sccm
全圧 : 0.55 Pa Total Pressure: 0.55 Pa
成膜時間 : 9 min Deposition Time: 9 min
膜厚 : 40 nm Membrane Thickness: 40 nm
ターゲット : 多結晶 InGaZnO4 Target: Polycrystalline InGaZnO4
a-IGZOスパッタリング a-IGZO Sputtering
フォトリソグラフィー Photolithography
ITOスパッタリング ITO Sputtering
測定サンプル作製プロセス Sample Preparation Process for Measurements
電極: ITO Electrode: ITO
アニール(N2→O2, 300oC) Anil (N2→O2, 300°C)
ACホール測定 - van der Pauw - ACホール測定 - ヴァン・デル・パウ法 -
ホール磁場 :0.34T Magnetic Field Strength: 0.34T
温度     :高温測定  室温~300oC Temperature: High Temperature Measurement Room Temperature ~ 300°C.
         低温測定  室温~160K Low Temperature Measurements: Room Temperature to 160K
測定雰囲気 :酸素 Measurement Environment: Oxygen.
結果:キャリア密度の緩和と Results: Alleviating Career Density
移動度の関係 Mobility Relationships
酸素雰囲気 Oxygen Atmosphere
一定温度でHall測定を Hall measurement at a specific temperature.
繰り返すと、非常に大きな Reiteration: Extremely Significant
μの値を得た。 Obtained the value of μ.
この値は信頼できるのか? Is this value reliable?