## Translation result of translate_test.pptx

保存したファイルを開く際、セキュリティの問題から開けない場合があります。
Windowsの場合、ファイルのプロパティダイアログを表示し、下部にセキュリティの警告が出ている場合、
「許可する」にチェックを入れてから開いてください
Document

Original | Translated | Corrected
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高温におけるキャリア密度と移動度の不安定性 | Instability of Carrier Density and Mobility at High Temperatures | Instability of Carrier Density and Mobility at High Temperatures
Boltzmann型温度依存性を仮定 | Assuming Boltzmann-type Temperature Dependence | Assuming Boltzmann-type Temperature Dependence
1st cycle　　58cm2/Vs | 1st cycle　　58cm2/Vs | 1st cycle　　58cm2/Vs
本研究の目的 | Purpose of the Study | Purpose of the Study
信頼できるHall効果測定方法 | Reliable Hall Effect Measurement Methods | Reliable Hall Effect Measurement Methods
温度依存性の解析 | Temperature Dependency Analysis | Temperature Dependency Analysis
a-IGZO (In:Ga:Zn = 1:1:1)の最大移動度は？ | What is the maximum mobility of a-IGZO (In:Ga:Zn = 1:1:1)? | What is the maximum mobility of a-IGZO (In:Ga:Zn = 1:1:1)?
最終目的 | Ultimate Goal | Ultimate Goal
高温Hall効果測定 | High Temperature Hall Effect Measurement | High Temperature Hall Effect Measurement
単一ドナー準位モデルパーコレーションモデル | Single Donor Level Model Percolation Model | Single Donor Level Model Percolation Model
繰り返し測定、熱履歴による不安定性　　　　→原因 | Repeated measurements, instability due to thermal history → Cause | Repeated measurements, instability due to thermal history → Cause
実験 Ⅰ | Experiment I | Experiment I
a-IGZO 成膜条件　－RFマグネトロンスパッタリング－ | a-IGZO Film Formation Conditions - RF Magnetron Sputtering - | a-IGZO Film Formation Conditions - RF Magnetron Sputtering -
RF 出力 : 70 W | RF Output: 70 W | RF Output: 70 W
Ar/O2 比 : 19.4 : 0.6 sccm | Ar/O2 ratio: 19.4:0.6 sccm | Ar/O2 ratio: 19.4:0.6 sccm
全圧 : 0.55 Pa | Total Pressure: 0.55 Pa | Total Pressure: 0.55 Pa
成膜時間 : 9 min | Deposition Time: 9 min | Deposition Time: 9 min
膜厚 : 40 nm | Membrane Thickness: 40 nm | Membrane Thickness: 40 nm
ターゲット : 多結晶 InGaZnO4 | Target: Polycrystalline InGaZnO4 | Target: Polycrystalline InGaZnO4
a-IGZOスパッタリング | a-IGZO Sputtering | a-IGZO Sputtering
フォトリソグラフィー | Photolithography | Photolithography
ITOスパッタリング | ITO Sputtering | ITO Sputtering
測定サンプル作製プロセス | Sample Preparation Process for Measurements | Sample Preparation Process for Measurements
電極: ITO | Electrode: ITO | Electrode: ITO
アニール（N2→O2, 300oC） | Anil (N2→O2, 300°C) | Anil (N2→O2, 300°C)
ACホール測定 - van der Pauw - | ACホール測定 - ヴァン・デル・パウ法 - | ACホール測定 - ヴァン・デル・パウ法 -
ホール磁場　：0.34T | Magnetic Field Strength: 0.34T | Magnetic Field Strength: 0.34T
温度　　　　　：高温測定 　室温~300oC | Temperature: High Temperature Measurement Room Temperature ~ 300°C. | Temperature: High Temperature Measurement Room Temperature ~ 300°C.
低温測定 　室温~160K | Low Temperature Measurements: Room Temperature to 160K | Low Temperature Measurements: Room Temperature to 160K
測定雰囲気　：酸素 | Measurement Environment: Oxygen. | Measurement Environment: Oxygen.
結果：キャリア密度の緩和と | Results: Alleviating Career Density | Results: Alleviating Career Density
移動度の関係 | Mobility Relationships | Mobility Relationships
酸素雰囲気 | Oxygen Atmosphere | Oxygen Atmosphere
一定温度でHall測定を | Hall measurement at a specific temperature. | Hall measurement at a specific temperature.
繰り返すと、非常に大きな | Reiteration: Extremely Significant | Reiteration: Extremely Significant
μの値を得た。 | Obtained the value of μ. | Obtained the value of μ.
この値は信頼できるのか？ | Is this value reliable? | Is this value reliable?